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A Venturi introduziu um novo tipo de tecnologia na Fórmula E, no ePrémio de Hong Kong. A formação monegasca está a usar diodos semicondutores de carbeto de silício (SiC), que visam melhorar a eficiência dos monolugares e permitiram reduzir em 2kg o peso do inversor. Além disso, o volume dos componentes de extracção de calor foi reduzido em cerca de 30 por cento.

Os novos diodos SiC são construídos pela empresa tecnológica ROHM. Frank Baldet, director técnico da Venturi, explica que esta parceria vem “melhorar a electrónica do nosso monolugar no geral, para que possamos atingir performances mais elevadas com os nossos motores eléctricos”.

Já Burkhard Goeschel, presidente da FIA Electric e da Comissão para os Campeonatos de Novas Energias, realça ao site Motorsport.com que “o que a Venturi está a fazer é exactamente naquilo em que as equipas de Fórmula E devem concentrar-se. Os avanços na engenharia eléctrica são grandes, mas num ambiente de competição a pesquisa e desenvolvimento acelera”.

No essencial, a tecnologia de semicondutores de carbeto de silício permite tornar os componentes electrónicos mais pequenos, resistentes e rápidos através de um composto de silicone e carbono. Possibilita também consumir menos energia e uma operação mais eficiente.

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